Iron mediated cathodic electrosynthesis of hausmannite nanoparticles

A novel synthetic route has been proposed to prepare hausmannite nanoparticles. The synthetic route comprises an iron mediated constant current cathodic electrodeposition of manganite and heat treatment of the latter to obtain hausmannite. The obtained nanostructures have been characterized using X-ray Diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray spectrometry (EDX) and Fourier transform Infrared Spectrometry (FTIR). The role of iron in the formation of manganite precursor has been studied by cyclic voltammetry (CV) and differential thermal analysis (DTA). A formation mechanism based on iron mediated formation of Mn³⁺ and subsequent cathodic reduction of the disproportionated products has been proposed accordingly. The prepared nanoparticles exhibited specific capacitance of 143 F g⁻¹ in 0.5 M Na₂SO₄ solution. The retained specific capacity was 87% after 2000 cycles.     

核聚变堆用钨表面超精密抛光的研究现状与趋势

钨作为未来核聚变堆中最有前景的面向等离子体材料,在反应堆工况下将承受高能粒子的辐照冲击。表面质量的好坏会直接影响材料的氢/氦滞留行为和辐照损伤程度,进而影响聚变堆的安全性和可靠性。现阶段,针对钨的抗辐照改性研究主要着眼于材料的成分、结构和组织设计,关于机械加工对材料表面抗辐照改性的研究甚少。文章聚焦前沿科学问题,从机械加工角度分析核材料领域科学问题,结合国内外相关研究成果及核聚变堆用钨(PFM-W)的机械加工现状,阐述了PFM-W表面超精密抛光的必要性。通过对比不同抛光方法,提出了磁流变抛光和力流变抛光是较为适合PFM-W表面超精密加工的观点,并对未来PFM-W表面超精密抛光研究趋势进行了分析,重点在抛光方法的探索以及抛光后材料表面质量对抗辐照性能影响的研究。     

高盐高有机制药废水污泥电渗透高干脱水

为研究高盐高有机制药废水污泥的电渗透脱水效果，深入认识化学污泥的电脱水过程，本文采用电渗透高干脱水技术对经抽滤脱水的高盐高有机制药废水化学污泥进行深度脱水，考察了泥饼初始pH的改变对污泥电渗透高干脱水过程中阴阳极污泥的含水率、电流、电导率、pH、zeta电位与能耗的影响，验证了对高盐高有机制药废水污泥实行电渗透高干脱水的可行性，解析了化学污泥电渗透脱水过程的机制。结果表明，泥饼pH为2、3、4时，zeta电位为正值，电渗流反向流动，无法脱水；pH增至5时，zeta电位为负值，电渗流从阴极脱除，污泥含水率从53.2%降至44.8%，脱水效果最好；但pH增至6时，脱水量有所降低。污泥电导率随pH的增加而降低。pH为5时初始电流最大。脱水15min时，即污泥含水率降至45.5%时，能源利用率最高。     

计量用脉冲Nd：YAG倍频激光器及其电源

介绍了脉冲Nd:YAG倍频激光器双波长（1064／532nm）3种输出的激光光路。1064nm输出的动静比可达0.40；KTP晶体外腔倍频效率可达0.50。介绍了稳定可靠的调Q电路、逻辑控制电路和开关电源的主电路及其参数计算。     

双层悬空结构片状微电感研究

利用MEMS工艺制作了一种双层悬空结构的圆形片状微电感，并研究了其在S波段的性能。双层微电感的底层线圈制作在玻璃衬底平面上，外径为500μm，匝数为2，导线宽度70μm，导线间距15μm，顶层线圈的悬空高度为20μm，顶层线圈的匝数为1．5，其它结构参数与底层线圈相同。研究表明，所制作的双层结构微电感在2GHz～4GHz时其电感量达到2．2nH，其品质因数达到22。在制作过程中首次引入的光刻胶抛光工艺大大简化了微电感的制作过程。     

CLBO晶体化学机械抛光技术的研究

介绍了硼酸锂铯(CLBO)晶体的应用前景及在化学机械抛光过程中存在的问题,简要分析了晶体在常温下开裂的机理,选用无水溶剂对晶体进行化学机械抛光以防止加工过程中晶体的潮解开裂。分析了抛光液、压力、温度、pH值参数对抛光过程的影响,通过合适配比使速率可达1.5～2μm/min,且表面质量较好。     

铝薄膜CMP影响因素分析

提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型,对抛光液的pH值、磨料、氧化剂浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程参数:硅溶胶粒径为15～20nm,pH值为10.8～11.2,氧化剂浓度为2.5%～3%。     

电荷耦合器件积分时间对微型成像系统成像质量的影响

在光圈固定的情况下，确定合适的积分时间对于提高微型电荷耦合器件(CCD)成像系统的成像质量，增强微型飞行器的侦察能力具有十分重要的意义。本文讨论了决定CCD积分时间的各种因素，重点研究了适用于微型飞行器的CCD成像系统的积分时间与像移的关系，并进一步推导了计算像移量的相关数学模型。利用该模型对不同积分时间内采集的运动图像进行了像质评价，结果表明，在保证曝光量的前提下，当像移量被限制在1个像素内时，可以获得相对理想的运动图像像质。     

电子电路中抗EMI设计

电磁干扰(EMI)可分为传导干扰和辐射干扰,消除干扰的方法可以采用硬件方法和软件方法,硬件方法主要有屏蔽、接地、隔离和滤波等,而软件方法主要是滤波。笔者对各种方法进行总结,并指出各种方法所存在的问题以及适用场合,并对一些常用方法提出改进措施。